HMC606-Die 宽带低相位噪声放大器芯片,2 - 18 GHz

HMC606是一款GaAs InGaP HBT MMIC分布式功率放大器裸片,工作频率范围为2至18 GHz。 该放大器具有12 GHz输入信号,在10 kHz失调下提供-160 dBc/Hz的超低相位噪声性能,与基于FET的分布式放大器相比有明显改善。 HMC606提供14 dB小信号增益、+27 dBm输出IP3和+15 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为64 mA(采用+5V电源)。 HMC606放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗,方便轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 应用

产品特点和性能优势
  • 超低相位噪声:
    -160 dBc/Hz( 10 kHz)
  • P1dB输出功率: +15 dBm
  • 增益: 14 dB
  • 输出IP3: +27 dBm
  • 电源电压: +5V (64mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸: 2.11 x 1.32 x 0.10 mm
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC606 Die Data SheetPDF 678.32 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC606 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至74.7160.51Y
    HMC606-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-40 至 85至00Y
    参考资料
    HMC606 Die Data Sheet hmc606-die
    HMC606 Die S-Parameters hmc606-die
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-A (QTR: 2013-00228) hmc587