HMC618A GaAs SMT pHEMT低噪声放大器SMT，1.2 - 2.2 GHz _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

HMC618A GaAs SMT pHEMT低噪声放大器SMT，1.2 - 2.2 GHz

HMC618ALP3E是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G基站前端接收机，工作频率范围为1.2 - 2.2 GHz。该放大器经过优化，采用+5V单电源时提供0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。提供出色的输入和输出回损性能，LNA仅需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC618ALP3E与HMC617LP3E 0.55 - 1.2 GHz LNA具有相同的封装和引脚排列。 HMC618ALP3E可在+3V与+5V之间进行偏置，提供外部可调电源电流，设计人员可针对每个应用调整LNA的线性度性能。 HMC618ALP3E的噪声系数性能相比之前发布的HMC375LP3(E)和HMC382LP3(E)更优。应用

产品特点和性能优势

噪声系数： 0.75 dB

增益： 19 dB

输出IP3： 36 dBm

单电源： +3V至+5V

50 Ω匹配输入/输出

16引脚3x3mm QFN封装： 9 mm²

射频和微波

低噪声放大器

数据手册

文档	备注
HMC618A Data Sheet	PDF 680.92 K

应用笔记

文档	备注
AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)	PDF 804.11 K
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)	PDF 804.11 K
MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note	PDF 435.1 K
Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note	PDF 433.77 K
Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note	PDF 189.99 K

订购信息

产品型号	封装	包装数量	温度范围	美金报价 100-499	美金报价 1000+	RoHS
HMC618ALP3E 量产	16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep)	OTH 50	-40 至 85至	5.74	3.28	Y
HMC618ALP3ETR 量产	16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep)	REEL 500	-40 至 85至	5.74	3.28	Y