HMC903LP3E 低噪声放大器,采用SMT封装,6 - 17 GHz

HMC903LP3E是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器,采用无铅3x3 mm塑料表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为6至17 GHz,提供18 dB的小信号增益,1.7 dB的噪声系数,+25 dBm的输出IP3,采用+3.5 V电源时功耗仅为80 mA。 +14 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC903LP3E还具有隔直I/O,内部匹配50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电或VSAT应用。

应用
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • 军事和太空
  • 测试仪器仪表
产品特点和性能优势
  • 低噪声系数: 1.7 dB
  • 高增益: 18 dB
  • P1dB输出功率: 14 dBm
  • 电源电压: +3.5 V (80 mA)
  • 输出IP3: +25 dBm
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 16引脚3x3mm SMT封装: 9mm²
  • 放大器
    S参数
    数据手册
    文档备注
    HMC903LP3E Data SheetPDF 751.14 K
    应用笔记
    文档备注
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0)PDF 804.11 K
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0)PDF 804.11 K
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application NotePDF 435.1 K
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application NotePDF 433.77 K
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application NotePDF 189.99 K
    订购信息
    产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
    HMC903LP3E 量产16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep)OTH 50-55 至 85至20.9518.44Y
    HMC903LP3ETR 量产16 ld QFN (3x3mm w/1.7mm ep)REEL 500-55 至 85至20.9518.44Y
    评估板
    产品型号描述美金报价RoHS
    129798-HMC903LP3EEvaluation Board – HMC903LP3E Evaluation PCB605.6Y
    参考资料
    HMC903LP3E Data Sheet hmc903lp3e
    HMC903LP3E S-Parameters hmc903lp3e
    AN-1363: 利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 (Rev. 0) hmc8120
    AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers (Rev. 0) hmc8120
    MMIC Amplifier Biasing Procedure Application Note hmc1049lp5e
    Broadband Biasing of Amplifiers General Application Note hmc1049lp5e
    Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note hmc1049lp5e
    Package/Assembly Qualification Test Report: LP2, LP2C, LP3, LP3B, LP3C,... hmc344
    Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e
    LP3, LC3, LC3B Tape and Reel Outline Dimensions hmc344