SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。
该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 Ω）和高电流增益（IC= 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。
电流增益的匹配（ΔhFE约为0.5%）且VOS低于50 μV（典型值），这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制高阶放大器谐波失真。
基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。
TSSM2212同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外，由于晶体管对之间的VBE不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212的低VOS无需进行失调调整。SSM2212可在-40ºC至85ºC的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。
产品特点和性能优势
| 线性产品SPICE模型 |
| 文档 | 备注 |
| SSM2212: Audio Dual Matched NPN Transistor Preliminary Data Sheet (Rev. C) | PDF 111 kB |
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM2212CPZ-R7 量产 | 16 ld LFCSP (3x3mm, 1.6mm exposed pad) | REEL 1500 | -40 至 85至 | 0 | 2.99 | Y |
| SSM2212CPZ-RL 量产 | 16 ld LFCSP (3x3mm, 1.6mm exposed pad) | REEL 5000 | -40 至 85至 | 0 | 2.99 | Y |
| SSM2212RZ 量产 | 8 ld SOIC | OTH 98 | -40 至 85至 | 3.31 | 2.99 | Y |
| SSM2212RZ-R7 量产 | 8 ld SOIC | REEL 1000 | -40 至 85至 | 0 | 2.99 | Y |
| SSM2212RZ-RL 量产 | 8 ld SOIC | REEL 2500 | -40 至 85至 | 0 | 2.99 | Y |
