4N45 高增益达灵顿输出光电耦合器

它包含一个与高增益光检测器 IC 进行光电耦合的 GaAsP 发光二极管。 通过加入集成射极旁路电阻将光二极管和第一级漏电流分流并将基极超出部份接地,带来不同温度下的卓越性能。可由外部连接第二级电路的基极提供了比传统光达灵顿检测器更佳的噪声抑制能力,可在基极加上外部电阻和电容进行增益带宽或输入电流阀值的调整,基极引脚也可以用来作为反馈。 在极低的输入电流下达到高电流传输比,使得电路中有足够的余地满足光电耦合的变化。 它在 1.0mA 输入电流和 7V 最小额定击穿电压下具有 250% 的最小 CTR。 依据要求可选择低至 250mA 的更低输入电流。
技术特性
  • 高电流传输比 - 1500% 典型值
  • 低输入电流要求 - 0.5mA
  • 0°C 到 70°C 工作温度内保证性能
  • 内置基射极电阻可将输出漏电流降至最低
  • 增益带宽调整引脚
  • 安全规范认证:
应用领域
  • 电话响铃信号检测器
  • 数字逻辑接地隔离
  • 低输入电流长线接收器
  • 线路电压状态指示器,低输入功耗
  • 逻辑到继电器接口
  • 电平转换
  • 不同逻辑系列接口
产品技术资料及技术规格
应用笔记
Brochures/Promotional Materials
FAQ's
停产产品通知
产品变更通知书
质量和可靠性