特点- 先进的 GaAs E-pHEMT 工艺
- 元件数量少
- 低噪音：0.8dB（典型值）
- 高 IIP3 和 IP1dB
- 可通过单独的外部电阻/电压调节偏置电流
- 支持非 GPS 频带操作的外部匹配
Applications | | Specification | Value |
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| Lifecycle | Active | | Distrib. Inventory | No | | Samples Available | Yes | | RoHS6 Compliant | Y | | Max Qty of Samples | 5 | | OIP3 (dBm) | 19 | | Frequency Range (GHz) | 1.575 | | Frequency (GHz) | 1.575 | | Bias Condition (V@mA) | 2.85V@8mA | | NF (dB) | 0.8 | | Gain (dB) | 14.3 | | IP1dB (dBm) | 1.8 | | IIP3 (dBm) | 4.7 | | Package | SMT 2x2 |
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