AT-32011 用于电池操作的微电流晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

AT-32011 用于电池操作的微电流晶体管

特点

微电流设备在 1mA - 20mA 中提供优秀的射频性能。AT-320XX 由各类包装来封装，非常适于寻呼、蜂窝/PCS 和其它射频应用。NF = 1dB；增益 = 14dB @ 3V、2mA；P1dB = 13dBm @ 3V、20mA（所有都在 900 MHz 下）

Specification	Value
Lifecycle	Active
Samples Available	No
Amp Freq Max In Ghz	4.0
Distrib. Inventory	Yes
Amp Freq Min In Ghz	0.0
Collect Curr In A	20.0
Gain At 2 4ghz In Db	10.0
Gain At 900mhz In Db	14.0
RoHS6 Compliant	Y
Max Qty of Samples	0
Mounting Direction	Top
Mounting Method	Solder Reflow
Noise At 2 4ghz In Db	1.6
Noise At 900mhz In Db	0.8
Pwr At 1db In Dbm	13.0
Pwr At 2 4ghz In Dbm	13.0
Pwr At 900mhz In Dbm	13.0
Pwr Bias In Ma	20.0
Test Bias Voltage (V)	2.7
Vo Max In V	5
Vo Min In V	1.0
Voltage (V)	2.7V
Frequency (GHz)	0.9
NF (dB)	1.0
Gain (dB)	14
P1dB (dBm)	13
OIP3 (dBm)	24
Package	SOT-143

ADS Model (1)

AT-320xx ADS Model.etc（02/26/2000）

Application Note (4)

AN 1293 A Comparison Various Bipolar Transistor Biasing Circuits.pdf（08/14/2010）
AN A004R: Electrostatic Discharge mage Control.pdf（07/14/2010）
AN A006: Mounting Considerations for Microwave Semiconductors.pdf（07/22/2009）
AN 1085: 900 2400 MHz Amplifiers the AT3 Noise Silicon Bipolar Transistors.pdf（04/09/2007）

Data Sheet (1)

AT-32011, AT-32033, Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor.pdf（06/09/2009）

Product Change Notice (PCN) (10)

V11-024-480035-0B - Assembly and Test related change.pdf（05/15/2012）
V11-024-480035-0A - Assembly and Test related change.pdf（11/04/2011）
Qualifying New Contract Manufacturers.pdf（03/02/2009）
CCN120601JH1 - New subcontractor for Ion implantation for bipolar products.pdf（10/28/2005）
CCN021402AT1 - Transfer of semiconductor wafer fabrication.pdf（10/28/2005）
PCN: A03-001-480035-1A, Jan 2003.pdf（01/07/2003）
CCN082100TC1 - Transistors, Diodes, INA's and MSA products on SOT-23 and SOT-143.pdf（08/21/2000）
CCN#9904A-REVISION B: Customer Change Notice.pdf（08/01/1999）
CCN:062597dg1- AT, INA, MSA, HSMS, HSMP Mfg. location change.pdf（06/25/1997）
CCN:0796dg2 - Consolidation and Standardization on Plating Processes.pdf（06/28/1996）

Reliability Data Sheet (2)

AT-3XX Series, NPN Silicon Bipolar Transistor.pdf（06/19/2008）
AT-4xxxx, NPN Silicon Bipolar Transistor.pdf（07/21/2006）

S-Parameter (18)

t320115a.s2p - AT-32011 s parameters at 5V 1 mA.etc（10/28/2005）
t320113b.s2p - AT-32011 s and noise parameters at 2.7V 2 mA.etc（10/28/2005）
t32011xa.s2p - AT-32011 s parameters at 0.3V 1 mA.etc（10/28/2005）
t320115g.s2p - AT-32011 s and noise parameters at 5V 20 mA.etc（10/28/2005）
t320115f.s2p - AT-32011 s parameters at 5V 15 mA.etc（10/28/2005）
320113d.s2p - AT-32011 s parameters at 2.7V 7.5 mA.etc（10/28/2005）
t320115b.s2p - AT-32011 s and noise parameters at 5V 2 mA.etc（10/28/2005）
t320113c.s2p - AT-32011 s parameters at 2.7V 5 mA.etc（10/28/2005）
t320111a.s2p - AT-32011 s and noise parameters at 1V, 1 mA.etc（10/28/2005）
t320115e.s2p - AT-32011 s parameters at 5V 10 mA.etc（10/28/2005）
t320115d.s2p - AT-32011 s parameters at 5V 7.5 mA.etc（10/28/2005）
t320113g.s2p - AT-32011 s and noise parameters at 2.7V 20 mA.etc（10/28/2005）
t320113f.s2p - AT-32011 s parameters at 2.7V 15 mA.etc（10/28/2005）
t320113a.s2p - AT-32011 s parameters at 2.7V 1 mA.etc（10/28/2005）
t320111c.s2p - AT-32011 s parameters at 1V 5 mA.etc（10/28/2005）
t320115c.s2p - AT-32011 s parameters at 5V 5 mA.etc（10/28/2005）
t320113e.s2p - AT-32011 s parameters at 2.7V 10 mA.etc（10/28/2005）
t320111b.s2p - AT-32011 s parameters at 1V 2 mA.etc（10/28/2005）

Spice Model (1)

AT-32011_SPICE.etc（02/26/2000）

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