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ATF-331M4 MiniPak 下 pHEMT 低噪声 31 dBm OIP3

超低噪声 PHEMT以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅封装。它的小尺寸、高线性和低噪声系数非常适合混合模块或第一或第二级基站 basestation LNA 的设计。 该设备也适用于无线 LAN、固定无线应用和 450MHz 到 10GHz 频率范围下其它射频应用。

ADS Model (1)

• ATF-331M4 ADS Model.etc（03/22/2002）

Application Brief (1)

• AB 105: 3X1M4A Demo Board for the ATF331M4 PHEMT Devices.pdf（12/04/2006）

Application Note (2)

• AN 5440; Low Noise, High Intercept Point, 900 MHz Amplifier Using the PHEMPT ATF-331M4.pdf（08/13/2010）
• AN 1288: A Noise High Intercept Point Amplifier for 1850 to 1910 MHz PCS Applications the ATF331M4 Depletion Mode PHEMT.pdf（08/12/2010）

Data Sheet (1)

• ATF-331M4 Noise Pseudomorphic HEMT a Miniature Leadless.pdf（06/14/2012）

Product Change Notice (PCN) (8)

• V13-004-480035-0A - Change of platform and Alternative second source for testing Quad Flat.pdf（03/12/2013）
• V12-009-480036-0A - Change in cover tape material.pdf（04/25/2012）
• V08-019-480036-0A.pdf（12/11/2008）
• A06-003-480035-0A, Nov.2005.pdf（12/21/2005）
• CCN021402AT1 - Transfer of semiconductor wafer fabrication.pdf（10/28/2005）
• PCN: A04-014-480036-0B.pdf（12/17/2004）
• PCN: A04-013-480035-0A, Dec. 2004.pdf（12/17/2004）
• PCN: A04-002-480035-0A, Apr. 2004.pdf（04/07/2004）

S-Parameter (5)

• ATF-331M4 - S and noise parameters at 3V, 40mA.etc（10/28/2005）
• ATF-331M4 - S and noise parameters at 4V, 60mA.etc（10/28/2005）
• ATF-331M4 - S and noise parameters at 4V, 40mA.etc（10/28/2005）
• ATF-331M4 - S and noise parameters at 3V, 60mA.etc（10/28/2005）
• ATF-331M4 - S and noise parameters at 2V, 40mA.etc（10/28/2005）