ATF-531P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 38 dBm OIP3 采用 LPCC 封装 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

ATF-531P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 38 dBm OIP3 采用 LPCC 封装

ATF-531P8 是一款以 8-引线 LPCC (JEDEC DFP-N) 包装封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT。该设备展现出 50MHz 到 6GHz 频率范围下卓越的射频性能、功率效率和产品一致性。

特点

在 2GHz 时，ATF-531P8 实现高 OIP3 多达 38dBm、P1dB 达 24.5 dBm 以及低 NF 达 0.6dB，仅需要 4V/135mA 的直流偏置
具备良好散热能力的封装尺寸仅为 2 毫米 x 2 毫米x 0.75 毫米。其背面的金属化处理可以体现卓越的散热效果，并为回焊工艺提供视觉导引。该设备在 85°C 安装温度下可达到 300 多年的平均无故障时间 (MTTF)

Specification	Value
Lifecycle	Active
Distrib. Inventory	Yes
Samples Available	Yes
RoHS6 Compliant	Y
Max Qty of Samples	25
Samples Available
Frequency (GHz)	0.05-6
Bias Condition (V@mA)	4V@135mA
NF (dB)	0.6
Gain (dB)	20
P1dB (dBm)	24.5
OIP3 (dBm)	38
Package	SMT 2x2

ADS Model (1)

ATF-531P8 ADS Model.etc（01/29/2003）

Application Note (4)

AN 1372: ATF531P8 900 MHz High Linearity Amplifier.pdf（08/30/2010）
AN 1371: ATF531P8 EpHEMT GaAs FET Noise Amplifier Desing for 800 900 MHz Applications.pdf（08/28/2010）
App Note 1320: Noise High Linearity Applications the ATF531P8.pdf（08/24/2010）
AN 1316: LPCC2x2.pdf（08/09/2010）

Data Sheet (1)

ATF-531P8, High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT 2x2 mm LPCC.pdf（08/26/2008）

Layout (1)

ATF-5x1P8 AutoCAD layout drawing.zip（10/28/2005）

Product Change Notice (PCN) (5)

V12-009-480036-0A - Change in cover tape material.pdf（04/25/2012）
V08-019-480036-0A.pdf（12/11/2008）
PCN: V06-020-480036-0A, Jun. 2006.pdf（06/13/2006）
PCN: A06-007-480036-0A Mar. 2006.pdf（03/12/2006）
PCN: A04-014-480036-0B.pdf（12/17/2004）

Reliability Data Sheet (1)

ATF531P8 Reliability Sheet.pdf（05/10/2007）

S-Parameter (8)

S and noise parameters at 5V, 135mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 180mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 135mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 75mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 40mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 3V, 40mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 30mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 3V, 30mA.etc（10/28/2005）

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