该单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 6GHz 频率范围下塔顶放大器、前端 LNA 或基站、MMDS 混合模块和其它射频应用。 它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡功率放大器的理想选择。