ATF-541M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低噪声 36 dBm OIP3

该单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 6GHz 频率范围下塔顶放大器、前端 LNA 或基站、MMDS 混合模块和其它射频应用。 它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡功率放大器的理想选择。

特点
  • 典型性能:2GHz 3V/60mA 时,NF = 0.5dB,OIP3 = 35.8dBm,P1dB = 21.4dBm 和增益 = 17.4dB
  • 典型性能:5.8GHz 3V/60mA 时,Fmin = 1.2dB,OIP3 = 37.6dBm,P1dB = 19.4dBm 和增益 = 11.9dB
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SpecificationValue
LifecycleActive
Distrib. InventoryYes
Samples AvailableYes
RoHS6 CompliantY
Max Qty of Samples25
Samples Available
Frequency (GHz)0.45-10
Bias Condition (V@mA)3V@60mA
NF (dB)0.5
Gain (dB)17.5
P1dB (dBm)21.4
OIP3 (dBm)35.8
PackageSMT 1.4x1.2
ADS Model (1)
Application Brief (2)
Application Note (5)
Data Sheet (1)
Product Change Notice (PCN) (9)
Reliability Data Sheet (1)
S-Parameter (4)
White Papers (1)