ATF-551M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低电流噪声 24 dBm OIP3 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

ATF-551M4 MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低电流噪声 24 dBm OIP3

该低电流单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 10GHz 频率范围下接收器 LNA 或手机、无线 LAN、固定无线的混合模块和其它射频应用。它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡的 LNA 的理想选择。

特点

典型低电流性能：2GHz 2.7V/10mA 时，NF = 0.5dB、OIP3 = 24dBm、P1dB = 14.6dBm 和增益 = 17.5dB
典型较高电流性能：2GHz 3V/20mA 时，NF = 0.5dB、OIP3 = 30dBm、P1dB = 16dBm 和增益 = 18dB
典型性能：5.8GHz 2.7V/10mA 时，Fmin = 0.9dB，OIP3 = 24.5dBm，P1dB = 14dBm 和增益 = 12dB

Specification	Value
Lifecycle	Active
Distrib. Inventory	Yes
Samples Available	Yes
RoHS6 Compliant	Y
Max Qty of Samples	25
Samples Available
Frequency (GHz)	0.45-6
Bias Condition (V@mA)	2.7V@10mA
NF (dB)	0.5
Gain (dB)	17.5
P1dB (dBm)	14.6
OIP3 (dBm)	24.1
Package	SMT 1.4x1.2

ADS Model (1)

ATF-551M4 ADS Model.etc（12/12/2001）

Application Brief (2)

5X1M4A Demo Board for the ATF5X1M4 PHEMT Devices.pdf（12/09/2006）
ATF5x143, ATF5x1M4 Single Voltage EpHEMT GaAs FETs.pdf（08/02/2006）

Application Note (7)

ATF-551M4 EPHEMT 4.9 to 6.0 GHz Twostage Noise Amplifier For 802.11a, HiperLAN2 HiSWANa Receivers.pdf（08/27/2010）
AN 1337 High Intercept Point Low Noise Amplifiers for 5.125 5.325 GHz 5.725 5.825 GHz Applications the ATF-551M4 ePHEMT.pdf（08/27/2010）
A 3.5GHz WiMAX Low Noise Amplifier for CPE and BTS Application Using ATF-551M4 - AN5328.pdf（08/25/2010）
AN 1277: High Intercept Noise Amplifier for 2.4 GHz ISM applications ATF551M4.pdf（08/24/2010）
AN 1285: Noise Amplifiers for 5.125 5.325 GHz 5.725 5.825 GHz the ATF 55143 Noise PHEMT.pdf（08/24/2010）
AN A004R: Electrostatic Discharge mage Control.pdf（07/14/2010）
AN A006: Mounting Considerations for Microwave Semiconductors.pdf（07/22/2009）

Data Sheet (1)

ATF-551M4 Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT a Miniature Leadless.pdf（02/20/2014）

Product Change Notice (PCN) (9)

V13-004-480035-0A - Change of platform and Alternative second source for testing Quad Flat.pdf（03/12/2013）
V12-009-480036-0A - Change in cover tape material.pdf（04/25/2012）
V08-019-480036-0A.pdf（12/11/2008）
A06-003-480035-0A, Nov.2005.pdf（12/21/2005）
CCN021402AT1 - Transfer of semiconductor wafer fabrication.pdf（10/28/2005）
PCN: A04-014-480036-0B.pdf（12/17/2004）
PCN: A04-013-480035-0A, Dec. 2004.pdf（12/17/2004）
PCN: A04-002-480035-0A, Apr. 2004.pdf（04/07/2004）
CCN040601LL1 - Qualifying external suplier of epi for GaAs ATF-xxxxx, IAM-91563, and MGA-xxxxx.pdf（04/06/2001）

S-Parameter (10)

ATF-551M4 - S and noise parameters at 3V, 15mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 2V, 20mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 3V, 10mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 2V, 15mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 3V, 30mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 2.7V, 15mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 3V, 20mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 2.7V, 20mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 2.7V, 10mA.etc（10/28/2005）
ATF-551M4 - S and noise parameters at 2V, 10mA.etc（10/28/2005）

©1993 - 2024 BDTIC