HMPS-2820 射频和微波混频器 / 侦测二极管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

HMPS-2820 射频和微波混频器 / 侦测二极管

特点

MiniPak HMPS-282x 系列肖特基二极管是目前市场上同级产品中性能最稳定且最优异的器件，适合频率高达 6 GHz 的混频、侦测、开关、采样、箝位和波型塑造应用。MiniPak 封装和传统引线式二极管相较，提供较低的寄生电容和较低的热阻。VBR=15 V, Ct=1.0pF, RD=10 Ohms, Vf @ 1 mA=340 mV。

Specification	Value
Lifecycle	Active
Distrib. Inventory	Yes
Samples Available	Yes
Configuration	Single
Ct Pf	1.0
RoHS6 Compliant	Y
Max Qty of Samples	25
Vbr V	15.0
Vf Mv	340.0
Series Res In Ohms	12.0

Application Brief (1)

Surface Mount Schottky PIN Diode.pdf（08/02/2006）

Application Note (20)

AN 956-5: Dynamic Range Extension Schottky Detectors.pdf（08/16/2010）
AN 988: All Schottky Diodes are Zero Bias Detectors.pdf（08/14/2010）
AN 986: Square Law Linear Detection.pdf（08/14/2010）
AN1328: A Temperature Compensated Linear Power Detector.pdf（08/14/2010）
AN 963: Matching Techniques for Mixers Detectors.pdf（08/14/2010）
AN 987: Is Bias Current Necessary.pdf（08/14/2010）
AN 1187: Design an Input Matching Network for a DC Biased 850 MHz Small Signal Detector.pdf（08/13/2010）
AN 997: A 2 GHz Balanced Mixer SOT23 Surface Mount Schottky Diodes.pdf（07/31/2010）
AN 1088: Designing the Virtual Battery.pdf（07/22/2010）
AN 1124: Linear Models for Diode Surface Mount Packages.pdf（07/21/2010）
AN 9561: The Criterion for the Tangential Sensitivity Measurement.pdf（07/19/2010）
AN A004R: Electrostatic Discharge mage Control.pdf（07/14/2010）
AN 956-3 Flicker Noise Schottky Diodes.pdf（07/13/2010）
AN 1328: HPMS-2825 A Temperature Compensated Linear Power Detector.pdf（07/13/2010）
AN 956-6: Temperature Dependence Schottky Detector Voltage Sensitivity.pdf（06/28/2010）
AN 1069: Non RF Applications for the Surface Mount Schottky Diode Pairs HSMS2802 HSMS2822.pdf（06/16/2010）
AN 9441: Microwave Transistor Bias Considerations.pdf（05/11/2010）
AN A006: Mounting Considerations for Microwave Semiconductors.pdf（07/22/2009）
AN 1156: Diode Detector Simulation EEs ADS Softward.pdf（02/22/2007）
AN 923: Schottky Barrier Video Detectors.pdf（12/09/2006）

Data Sheet (1)

HMPS-282x, MiniPak Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes.pdf（08/27/2010）

Product Change Notice (PCN) (8)

V13-004-480035-0A - Change of platform and Alternative second source for testing Quad Flat.pdf（03/12/2013）
V12-009-480036-0A - Change in cover tape material.pdf（04/25/2012）
A06-003-480035-0A, Nov.2005.pdf（12/21/2005）
CCN082701TC1 - Si wafer substrate will change from 3" to 4".pdf（10/28/2005）
CCN021402AT1 - Transfer of semiconductor wafer fabrication.pdf（10/28/2005）
PCN: A04-013-480035-0A, Dec. 2004.pdf（12/17/2004）
PCN: A04-002-480035-0A, Apr. 2004.pdf（04/07/2004）
CCN082401TC1 - Si wafer epitaxy transferred from Newark to San Jose, CA fab.pdf（08/24/2001）

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