BS270: N沟道增强模型场效应晶体管

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于需要 500mA 直流电流的大部分应用中。 这款产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。

特性

• 400 mA，60 V。R_DS(ON) = 2 Ω （V_GS = 10 V 时）。
• 高密度单元设计可实现极低的 R_DS(ON)。
• 电压控制的小型信号开关。
• 坚固而可靠。
• 高饱和电流能力。

Application Notes