FAN5236: 宽输入电压范围双通道输出/DDR PWM/PFM控制器

FAN5236 PWM控制器为两个可调输出电压提供高效率和调节功能，范围为0.9V至5.5V，用于为高性能笔记本电脑、PDA和 Internet 设备中的I/O、芯片组、存储器库供电。 同步整流和轻载时的滞后运行为大量不同负载提供了高效率。 如果所有负载水平都需要PWM模式，滞后模式可在每个PWM转换器上单独禁用。 通过使用MOSFET RDS(ON)作为电流感测组件，能够提高效率。

前馈斜坡调制、平均电流模式控制机制以及内部反馈补偿等功能实现了负载瞬态快速响应。 具有180度相位偏移的异相操作减少了输入电流纹波。 控制器可通过激活专用引脚，转变成完整的DDR存储器电源解决方案。 在DDR模式中，一个通道跟踪另一通道的输出电压并提供输出灌电流和源功能，这对于DDR芯片正确加电至关重要。 还提供了此类存储器所需的缓冲参考电压。 FAN5236监控这些输出，并在软启动完成且输出在其设定点的±10%内时生成独立的PGx（电源正常）信号。 内置过压保护可防止输出电压超过其设定点的120%。 过压条件停止后，会自动恢复正常操作。 当此输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时，欠压保护会闩锁芯片。 可调过流功能通过感测较低MOSFET两端的压降来监控输出电流。 需要精确电流感测时，可使用外部电流感测电阻。

特性

• 高灵活性、双同步开关PWM控制器包括以下模式：
  • 带同相操作的DDR模式，用于减少通道干扰
  • 90°相位偏移的两阶DDR模式，用于减少输入纹波
  • 双独立调节器，180°相位偏移
• 带同相操作的DDR模式，用于减少通道干扰
• 90°相位偏移的两阶DDR模式，用于减少输入纹波
• 双独立调节器，180°相位偏移
• 完整DDR存储器电源解决方案
  • VTT 跟踪 VDDQ/2
  • VDDQ/2 缓冲参考输出和HSTL
• V_TT 跟踪 V_DDQ/2
• V_DDQ/2 缓冲参考输出和HSTL
• 轻载滞后模式将效率最大化
• TSSOP28封装
• 低端MOSFET上的无损电流感测或者使用感测电阻的精确过流
• V_CC 欠压闭锁
• 转换器可使用+5V或3.3V或电池供电输入（5V至24V）供电
• 卓越动态响应，使用电压前馈和平均电流模式控制
• 电源正常信号
• 支持DDR-II和HSTL
• 轻载滞后模式将效率最大化
• TSSOP28封装

Application Notes