FAN8811T: 高频率、高端与低端栅极驱动 IC

FAN8811 是高端与低端栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET，工作电压高达100 V。

FAN8811 集成一个驱动器 IC 和自举二极管。 驱动器 IC 具有较低的延迟时间和匹配 PWM 输入传播延迟，从而进一步提高了零件的性能。

高速双栅极驱动器旨在用半桥或同步降压驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET。 浮动高端驱动器能够使用高达 100 V 的供应电压工作。在双栅极驱动器中，高端和低端都有独立输入，在应用中可实现最大输入控制信号灵活性。 PWM 输入信号（高电平）可以为 3.3 V、5 V 或高达 VDD 逻辑输入，涵盖所有可能的应用情况。 高端驱动器偏置电源的自举二极管集成在此芯片中。 高端驱动器引用至开关节点 (HS)，此开关节点通常是高端 MOSFET 的电源引脚和低端 MOSFET 的漏电引脚。 低端驱动器引用至通常接地的 VSS。 包含的功能有输入阶段、UVLO 保护、电平移动、自举二极管和输出驱动器阶段。

特性

• 驱动高端和低端的两个 N 沟道 MOSFET
• 集成自举二极管，适用于高端栅极驱动器
• 自举电源电压范围高达 118 V
• 3 A 电源、6 A 灌输出电流功能
• 驱动 1nF 负载，典型升/降时间为 6 ns/4 ns
• TTL 兼容的输入阈值
• 供应电源范围广：8 V - 16 V（绝对最大值 18 V）
• 传播延迟时间快（典型值 30 ns）
• 2 ns 延迟匹配（典型值）
• 驱动电压欠压锁定 (UVLO) 保护
• 工作结温范围：-40°C - 125°C

Application Notes