FCD9N60NTM: N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 9A, 385mΩ

SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。 这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

特性

• R_DS(on) = 330mΩ （典型值） @ V_GS = 10V, I_D = 4.5A
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 17.8nC )
• 低有效输出电容（典型值 C_oss.eff = 122pF ）
• 100%经过雪崩测试
• 符合RoHS标准

Application Notes