FCH060N80_F155: N 沟道 SuperFET® II MOSFET

SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新高电压超结 MOSFET 系列产品，使用电荷平衡技术，实现突出的低通态电阻和较低的栅极电荷性能。 该技术可以使传导损耗降到最低，提供卓越的开关性能，dv/dt 速率和较高的耐雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性

• 典型值 R_DS(on) = 54mΩ
• 850 V @ T_J = 150°C
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 270 nC）
• 低 E_OSS（典型值 23 uJ @ 400 V）
• 低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 981 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes