FCH190N65F_F085: 600 V、21 A、148 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET II™

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

特性

• 典型值 RDS_(on) = 148 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 10 A时）
• 典型值 Q_g(tot) = 63 nC（V_GS = 10V, I_D = 10 A时）
• UIS 能力
• 符合 AEC Q101 要求
• 符合 RoHS 标准