FCMT199N60: N 沟道 SuperFET® II MOSFET

SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合用于诸如服务器/电信电源、适配器和光伏逆变器应用等开关电源应用。Power88 封装是一款超薄型表面贴装封装（高度为 1 mm），外形轻薄、小巧 (8x8 mm2)。SuperFET II MOSFET 采用 Power88 封装，由于具有更低的寄生源极电感和独立电源和驱动电源，可实现卓越的开关性能 Power88 可达到湿度敏感 1 级水平 (MSL 1)。

特性

• 650 V @ T_J = 150°C
• R_DS(on)=170 mΩ（典型值）
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 57 nC)
• 低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 160 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes