FCP11N60N: N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性

• R_DS(on) = 255mΩ （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 5.4A
• 超低栅极电荷（典型值Q_g = 27.4nC )
• 低有效输出电容（典型值C_oss.eff = 130pF )
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes