FCP190N65F: N 沟道 SuperFET® II FRFET MOSFET

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

特性

• 700 V @ T_J = 150°C
• 典型值 R_DS(on)=168 mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 60 nC)
• 低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 186 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes