FCPF190N60: N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ

SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势，与传统的超级结 MOSFET 相比，该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

特性

• T_J = 150°C 时为 650 V
• 最大值 R_DS(on) = 199mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 57nC )
• 低有效输出电容（典型值 C_oss.eff = 160pF )
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes