FDB0250N807L: 80 V N-沟道 PowerTrench® MOSFET

此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 2.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 30 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 2.7 mΩ（V_GS = 8 V、I_D = 27 A
  
• 快速开关速度
  
• 低栅极电荷
  
• 高性能沟槽技术可实现极低的 R_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes