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FDB86135: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
数据手册DataSheet
FDB86135.pdf
特性
V
GS
= 10V,I
D
= 75A
时,最大r
DS(on)
= 3.5 mΩ
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDB86135
量产 绿色:截至2011年7月 中国 RoHS
$2.7819
TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带
TO-263 2L (D2PAK) 示意图
最后更新: 2016年5月
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO263-2L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO263_TUBE PACKING DRAWING
最后更新: 2013年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDB
第三行
86135
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