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FDB9403L_F085: N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET
数据手册DataSheet
FDB9403L_F085.pdf
特性
典型 R
DS(on)
= 1.0 mΩ(V
GS
= 10 V、I
D
= 80 A
典型 Q
g(tot)
= 186 nC(V
GS
= 10 V、I
D
= 80 A
UIS 能力
符合 RoHS 标准
符合 AEC Q101 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDB9403L_F085
量产 绿色:截至2015年3月 中国 RoHS
$1.8724
TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带
TO-263 2L (D2PAK) 示意图
最后更新: 2016年5月
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO263-2L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO263_TUBE PACKING DRAWING
最后更新: 2013年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDB
第三行
9403L
FDB9403L_F085.pdf
TO-263 2L (D2PAK) Drawing
Last Update: May 2016
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO263-2L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO263_TUBE PACKING DRAWING
Last Update: Jun 2013
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