FDC021N30: N沟道PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 PowerTrench MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性

• 最大 r_DS(on) = 26 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 6.1 A
  
• 最大 r_DS(on) = 33 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 5.3 A
  
• 高性能沟槽技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 快速开关速度
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes