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FDC604P: P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET
此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDC604P.pdf
特性
-5.5 A, -20 V
R
DS(on)
= 33 mΩ @ V
GS
= -4.5V
R
DS(on)
= 43 mΩ @ V
GS
= -2.5V
R
DS(on)
= 60 mΩ @ V
GS
= -1.8V
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDC604P
量产 绿色:截至2011年7月 中国 RoHS
$0.2207
SSOT 6L - 0.97 x 4.22 x 1.6mm, 卷带
SSOT 6L 示意图
最后更新: 2017年2月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
&.
(引脚 1)
604
&G
(每周日期代码)
Application Notes
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最后更新 : 2011年3月05日
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SOT Tape and Reel Packing Drawing
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Last Update : 23-Oct-2014
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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