FDC6320C: 双N&P沟道数字FET

这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件专为低压应用而设计，旨在作为负载开关应用中双极性数字晶体管的替代品。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

特性

• N-Ch 25 V，0.22 A，RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V。
• P-Ch 25 V，-0.12 A，RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。
• 非常低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th) < 1.5 V。
• 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
• 替代NPN & PNP数字晶体管。

Application Notes