FDC637BNZ: 20V双N沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。与SO-8和TSSOP-8封装的大尺寸不同，这些器件经过专门设计，能以非常小的尺寸提供出色的功耗特性。

特性

• V_GS = 4.5V，I_D = 6.2A时，最大r_DS(on) = 24 mΩ
  
• V_GS = 2.5V，I_D = 5.2A时，最大r_DS(on) = 32 mΩ
  
• 快速开关速度
  
• 低栅极电荷（典型值8nC）
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
  
• HBM静电放电保护等级为>2kV，典型值（注3）
  
• 采用绿色封装材料生产。
  
• 无卤素
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes