FDC6392S: -20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

FDC6392S将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SSOT-6封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性

• MOSFET：
• -2.2A, -20V
  
• R_DS(ON) = 150 mΩ @ V_GS = -4.5V
  
• R_DS(ON) = 200 mΩ @ V_GS = -2.5V
  
• 低栅极电荷（3.7nC典型值）
  
• 紧凑的工业标准SuperSOT™-6封装
  肖特基：
• V_F < 0.45 V @ 1 A
  

Application Notes