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FDC86244: 150V N沟道Power Trench® MOSFET
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
数据手册DataSheet
FDC86244.pdf
特性
V
GS
= 10 V且ID = 2.3A时,最大r
DS(on)
= 144 m
Ω
V
GS
= 6 V,I
D
= 1.9 A时,最大r
DS(on)
= 188 mO
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(on)
广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
快速开关速度
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDC86244
量产 绿色:截至2010年8月 中国 RoHS
$0.6088
SSOT 6L - 0.97 x 4.22 x 1.6mm, 卷带
SSOT 6L 示意图
最后更新: 2017年2月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
&.
(引脚 1)
244
&G
(每周日期代码)
Application Notes
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AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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AN-9065
AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
AN-9034
AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
AN-FEBFDMQ8203-13W
User Guide for FEBFDMQ8203_13 W GreenBridge™ Evaluation Kit for Power Over Ethernet 13 W Flyback DC-DC
最后更新 : 2012年12月05日
FDC86244.pdf
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FRFET® in Synchronous Rectification
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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SSOT 6L Drawing
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SOT Tape and Reel Packing Drawing
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
User Guide for FEBFDMQ8203_13 W GreenBridge™ Evaluation Kit for Power Over Ethernet 13 W Flyback DC-DC
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