FDD6680AS: 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDD6680AS设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDD6680AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDD6680AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDD6680A并联一个肖特基二极管的性能相似。

特性

• 55A，30V
• R_DS(ON) = 10.5 mΩ @ V_GS = 10 V
• R_DS(ON) = 13.0 mΩ @ V_GS = 4.5 V
• 包含SyncFET肖特基体二极管
• 低栅极电荷（典型值21 nC）。
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

Application Notes