FDD850N10LD: BoostPak（N 沟道 PowerTrench® MOSFET + 二级管） 100V, 15.3A, 75 mΩ

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。

特性

• R_DS(on) = 61 mΩ（典型值）@ V_GS = 10 V，I_D = 12 A
• R_DS(on) = 64 mΩ（典型值）@ V_GS = 5.0 V，I_D = 12 A
• 低栅极电荷（典型值 22.2 nC）
• 低 C_rss（典型值) 42 pF)
• 快速开关
• 100%经过雪崩测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 符合 RoHS 标准

Application Notes