这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
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