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FDD86250: 150V N沟道PowerTrench® MOSFET
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDD86250.pdf
特性
V
GS
= 10 V,I
D
= 8 A时,最大r
DS(on)
= 22mΩ
V
GS
= 6 V,I
D
= 6.5 A时,最大r
DS(on)
= 31 mΩ
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDD86250
量产 绿色:截至2010年11月 中国 RoHS
$0.9485
TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带
TO-252 3L (DPAK) 示意图
最后更新: 2016年6月
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO252-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO252-3L packing drawing
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDD
第三行
86250
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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AN-9065
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最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
AN-9034
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最后更新 : 2013年8月27日
AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
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最后更新 : 2011年3月05日
FDD86250.pdf
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FRFET® in Synchronous Rectification
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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TO-252 3L (DPAK) Drawing
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TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO252-3L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO252-3L packing drawing
Last Update: May 2013
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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