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FDD8647L: 40V N沟道PowerTrench® MOSFET
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®工艺生产,以提供低rDS(on)和优化的BVDSS能力,从而在应用中实现卓越性能。
数据手册DataSheet
FDD8647L.pdf
特性
V
GS
= 10 V,I
D
= 13 A时,最大r
DS(on)
= 9 mΩ
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 11 A
时,r
DS(on)= 13 mΩ(最大值)
快速开关
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDD8647L
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$0.6711
TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带
TO-252 3L (DPAK) 示意图
最后更新: 2016年6月
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO252-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO252-3L packing drawing
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDD
第三行
8647L
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TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
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TO252-3L, PACKING DRAWING
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