FDFMA2P029Z: -20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 它具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可最大限度地降低传导损耗。
MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
特性
- MOSFET
- 最大rDS(on) = 95mΩ（VGS = -4.5V且ID = -3.1A时）
- 最大rDS(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V且ID = -2.5A时）
- HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
肖特基
- VF < 0.37V (500mA)
- 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
- 符合 RoHS 标准
Ordering Code| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|
| FDFMA2P029Z | 量产
绿色：截至2007年1月
中国 RoHS | $0.3261 | MLP 2x2 6L (MicroFET)
-
0.8 x 2 x 2mm,
卷带 | 第一行&Z (工厂编码)
&2 (2 位日期代码)
&K
第二行P29
|
