FDG6317NZ: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET

该双N沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。 它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

特性

• 0.7A，20V
• R_DS(ON) = 400 mΩ @ V_GS = 4.5V
• R_DS(ON) = 500 mΩ @ V_GS = 2.5V
• 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

Application Notes