这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
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