FDG6318PZ: 双P沟道数字FET

这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体的先进工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件专为双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计

特性

• -0.5A，-20V
• R_DS(ON) = 780 mΩ @ V_GS = -4.5V
• R_DS(ON) = 1200 mΩ @ V_GS = -2.5V
• 极低电平的栅极驱动要求允许直接在3V电路中运行(V_GS(TH)< 1.5V)。
• 栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力（>1.4kV人体模型）。
• 紧凑的工业标准SC-70-6表面贴装封装。

Application Notes