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FDH3632: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V、80A、9mΩ
数据手册DataSheet
FDH3632.pdf
特性
R
DS(on)
= 7.5mΩ(典型值) @ V
GS
= 10V, I
D
= 80A
Q
G(tot)
= 84nC(典型值) @ V
GS
= 10V
低米勒电荷
低 Q
rr
体二极管
UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDH3632
量产 绿色:截至2013年8月 中国 RoHS
$3.0611
TO-247 3L - 4.7 x 15.62 x 20.57mm, 管装
TO-247 3L 示意图
最后更新: 2016年9月
TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING
最后更新: 2015年11月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDH3632
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
最后更新 : 2016年3月29日
AN-7515
AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
最后更新 : 2014年11月26日
AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
最后更新 : 2011年3月05日
AN-9065
AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
最后更新 : 2014年10月23日
AN-9034
AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
FDH3632.pdf
MOSFET Basics
Last Update : 09-Sep-2013
A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification
Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
Last Update : 26-Nov-2014
Power MOSFET Avalanche Guideline
Last Update : 05-Mar-2011
TO-247 3L Drawing
Last Update: Sep 2016
TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING
Last Update: Nov 2015
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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