FDMA1023PZ: -20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低导通损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。     MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• 最大 r_DS(on) = 72 mΩ（V_GS = –4.5 V、I_D = –3.7 A 时）
  
• 最大 r_DS(on) = 95 mΩ（V_GS = –2.5 V、I_D = –3.2 A 时）
  
• 最大 r_DS(on) = 130 mΩ（V_GS = –1.8 V、I_D = –2.0 A 时）
  
• 最大 r_DS(on) = 195 mΩ（V_GS = –1.5 V、I_D = –1.0 A 时）
  
• 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
  
• HBM ESD 保护等级>2 kV 典型值
  
• 符合 RoHS 标准
  
• 无任何卤代化合物和锑氧化物
  

Application Notes