FDMA1029PZ: -20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。

MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• -3.1 A、-20V：
• R_DS(ON) = 95 mΩ @ V_GS = -4.5 V
• R_DS(ON) = 141 mΩ @ V_GS = -2.5 V
• 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
• HBM ESD保护等级> 2.5kV（参见数据手册注3）
• 符合RoHS标准
• 无卤素化合物和锑氧化物

Application Notes