FDMA1430JP: -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 和 BJT

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。 在其节省空间的 MicroFET2x2 封装内具有 50 V NPN BJT 和 30 V P 沟道 MOSFET 产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 90 mΩ（V_GS = -4.5 V且I_D = -2.9 A
  ）
• 最大值 r_DS(on) = 130 mΩ（V_GS = -2.5 V且I_D = -2.6 A
  ）
• 最大值 r_DS(on) = 170 mΩ（V_GS = -1.8 V，I_D = -1.7 A
  ）
• 最大值 r_DS(on) = 240 mΩ（V_GS = -1.5 V，I_D = -1 A
  ）
• 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装
  
• HBM 静电放电保护等级>2 kV 典型值（注3）
  
• 符合RoHS标准