该器件是专门设计用作有双开关要求的单一封装解决方案,例如更大型Mosfet的栅极驱动器。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET,以最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
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