FDMA430NZ: 30V单N沟道2.5V额定PowerTrench ®MOSFET

该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 2.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

特性

• R_DS(on) = 40mΩ @ V_GS = 4.5 V，I_D = 5.0A
  
• R_DS(on) = 50mΩ@ V_GS = 2.5 V，I_D = 4.5A
  
• 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
  
• HBM ESD保护电平> 2.5kV典型值 （注3）
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes