FDMA530PZ: -30V 单 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它提供了具有低导通电阻的 MOSFET。

MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• 最大 R_DS(on) = 35 mΩ（V_GS = -10 V、I_D = -6.8 A 时）
  
• 最大 R_DS(on) = 65 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -5.0 A 时）
  
• 薄型 - 最大 0.8 mm - 采用新的 MicroFET 2X2 mm 封装
  
• HBM ESD 保护电平>3 kV 典型值（注 3）
  
• 无卤素化合物和锑氧化物
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes