FDMA6676PZ: 单 P 沟道 PowerTrench® MOSFET

此设备是超低电阻的 P 沟道 FET。 它专为电源线负载开关应用和反接保护而设计。 它专为爬高至 25V 的电压轨优化。 典型的终端系统包括笔记本电脑、平板电脑和手机。 应用包括电池保护、输入电力线路保护和充电路径保护，其中包括 USB 和其他充电路径。 FDMA6676PZ 具有 25V 的增强 VGS 额定值，专门用于简化安装。 当用作反极性保护，并将栅极接地且漏极连接到 V 输入时，它专门用来支持操作输入电压，可高达 25 V，而无需在栅极上进行外部齐纳保护。 其较小的 2x2x0.8 外形尺寸使其成为移动和空间受限应用的理想选择。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 13.5 mΩ @ V_GS = -10 V
  
• 25V V_GS 扩展运行额定值
  
• 30V V_DS 阻塞
  
• 2x2mm 外形尺寸
  
• 薄型 - 0.8 mm 最大值
  
• 集成保护二极管
  
• 符合 RoHS 标准
  
• 无卤素
  

Application Notes