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FDMA86108LZ: 单N沟道PowerTrench® MOSFET
该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。
数据手册DataSheet
FDMA86108LZ.pdf
特性
最大 r
DS(on)
= 243 mΩ(V
GS
= 10 V、I
D
= 2.2 A
最大 r
DS(on)
= 366 mΩ(V
GS
= 4.5 V、I
D
= 1.8 A
薄型 – 最大 0.8 mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
无卤代化合物和氧化锑
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMA86108LZ
量产 绿色:截至2015年10月 中国 RoHS
$0.4872
MLP 2x2 6L (MicroFET) - 0.8 x 2 x 2mm, 卷带
MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
最后更新: 2015年1月
MLP06 Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
MLP6L 2.0x2.0, Packing Drawing
最后更新: 2016年1月
第一行
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
108
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最后更新 : 2011年3月05日
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MLP06 Packing Drawing
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MLP6L 2.0x2.0, Packing Drawing
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Last Update : 05-Mar-2011
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Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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