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FDMA86151L: 100 V 单 N 沟道 PowerTrench® MOSFET
该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。
数据手册DataSheet
FDMA86151L.pdf
特性
最大 rDS(on) = 88 mΩ(V
GS
= 10 V、I
D
= 3.3 A 时)
最大 r
DS(on)
= 132 mΩ(V
GS
= 4.5 V、I
D
= 2.7 A 时)
薄型 – 最大 0.8mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
无卤素化合物和锑氧化物
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMA86151L
量产 绿色:截至2014年5月 中国 RoHS
$0.5484
MLP 2x2 6L (MicroFET) - 0.8 x 2.05 x 2.05mm, 卷带
MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
最后更新: 2014年5月
MLP06 Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
第一行
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
151
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FDMA86151L.pdf
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
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Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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